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        K-speed 等离子体刻蚀工艺模拟软件简介

        一、K-SPEED介绍

        二、公司简介

        三、开放思维

        1.半导体制造中HARC工艺的新挑战

        四、研发团队

        五、K-SPEED优势

        • 简单的GUI ,基于用户反馈优化设计
        • 完全的碳氟化合物混合气体化学性质深度刻蚀(C4F6/C4F8/CH2F2/Ar/O2)
        -可靠性已得到三星和SK-海力士验证
        • 快速的求解时间
        -基于CPU的化学反应计算
        -基于GPU的弹道输运

        -其他先进技术的应用…

        六、图形用户界面GUI

        七、批量等离子体仿真简介

        1.批量等离子体仿真范畴

        2.零维批量等离子体仿真——K-0DPLASMA

        3.K-0DPLASMA软件射频鞘层模型与脉冲放电

        4.等离子体数据库

        5.等离子体诊断和K-0DPLASMA数据库

        八、三维特征轮廓仿真研发

        1.等离子体处理中三维特征轮廓仿真

        2.三维特征轮廓仿真之纳米级中性粒子输运

        3.弹道输运模块的GPU计算方法

        4.三维特征轮廓仿真之表面反应

        九、案例

        1.氟碳/氩/氧/电容耦合 等离子体

        2.氟碳化合物/氩/氧气电容耦合等离子掩模刻蚀图形化

        3.大面积等离子体刻蚀仿真

        4.氧化刻蚀自停止&连续氮化物刻蚀

        5.等离子体充电模拟

        6.脉冲式氟碳等离子氧化刻蚀

        7.晶圆边缘轮廓倾斜

        8.MTJ材料等离子刻蚀模拟

        9.Bosch的等离子处理挑战

        10.等离子体局部加载刻蚀模拟


        下载此案例,戳下方链接,课时2

        更多K-SPEED案例可戳:http://edu.yanfabu.com/course/1625


        欢迎加入K-SPEED软件技术交流QQ群:716170438



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